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第三场:铪基铁电薄膜电滞回线测量及唤醒与疲劳机制研究
报告人:高兆猛
报告时间:2022年4月15日 14:00 ~ 15:30
腾讯会议号:718 857 854
会议链接:https://meeting.tencent.com/dm/tslawYzy7UQI
个人简介:
高兆猛,华东师范大学,博士后。主要从事新型铪基铁电研究,围绕铪基铁电薄膜材料生长、器件设计、结构与性能调控、及相关铁电机理等方面开展研究工作。在期刊和会议上发表论文18篇,其中以第一作者在Nature Communications、IEEE Electron Device Letters、Advance Materials Interface等期刊发表论文4篇,同时参与IEDM(1篇)、VLSI Technology(3篇)等国际会议论文的发表。
报告摘要:
铪基铁电与CMOS工艺完全兼容,具有低漏电、高速度、高密度、低功耗等优势,在铁电随机存取器、铁电晶体管、铁电隧道结、铁电负电容等一系列新型功能器件中都展现出独特的性能,与主流的存储架构(NAND、DRAM)兼容,在三维存储、存算一体、神经网络、以及人工智能、物联网等方面有非常好的应用前景和商业价值。本次报告围绕铪基铁电薄膜测试与相变机理研究,从高频下电滞回线校准、超薄铪基铁电测量、及电学操作过程中的唤醒与疲劳机制研究等方面介绍实验室在铪基铁电方面取得的进展。